Principal diferença - BJT vs. FET

BJT (transistores de junção bipolar) e FET (Transistores de Efeito de Campo) são dois tipos diferentes de transistores. Transistores são dispositivos semicondutores que podem ser usados ​​como amplificadores ou chaves em circuitos eletrônicos. o principal diferença entre BJT e FET é que BJT é um tipo de transistor bipolar onde a corrente envolve um fluxo de portadoras majoritárias e minoritárias. Em contraste, FET é um tipo de transistor unipolar onde apenas a maioria dos portadores fluem.

O que é BJT

Um BJT consiste em duas junções p-n. Dependendo de sua estrutura, os BJTs são classificados nos tipos npn e pnp. Nos BJTs npn, uma pequena peça levemente dopada de semicondutor do tipo p é ensanduichada entre dois semicondutores do tipo n fortemente dopados. Por outro lado, um pnp BJT é formado por um sanduíche de um semicondutor do tipo n entre os semicondutores do tipo p. Vamos dar uma olhada em como funciona um BJT npn.

A estrutura de um BJT é mostrada abaixo. Um dos semicondutores do tipo n é chamado de emissor (marcado com um E), enquanto os outros semicondutores do tipo n são chamados de colecionador (marcado com um C). A região do tipo p é chamada de base (marcado com um B).

A estrutura de um npn BJT

Uma grande tensão é conectada em polarização reversa na base e no coletor. Isso faz com que uma grande região de depleção se forme através da junção base-coletor, com um forte campo elétrico que impede que os orifícios da base fluam para o coletor. Agora, se o emissor e a base estiverem conectados em polarização direta, os elétrons podem fluir facilmente do emissor para a base. Uma vez lá, alguns dos elétrons se recombinam com buracos na base, mas como o forte campo elétrico através da junção base-coletor atrai elétrons, a maioria dos elétrons acaba inundando o coletor, criando uma grande corrente. Uma vez que o (grande) fluxo de corrente através do coletor pode ser controlado pela (pequena) corrente através do emissor, o BJT pode ser usado como um amplificador. Além disso, se a diferença de potencial através da junção base-emissor não for forte o suficiente, os elétrons não serão capazes de entrar no coletor e, portanto, a corrente não fluirá através do coletor. Por esse motivo, um BJT também pode ser usado como interruptor.

As junções pnp funcionam segundo um princípio semelhante, mas, neste caso, a base é feita de um material do tipo n e a maioria dos portadores são orifícios.

O que é FET

Existem dois tipos principais de FETs: Transistor de efeito de campo de junção (JFET) e Transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico (MOSFET). Eles têm princípios de funcionamento semelhantes, embora também existam algumas diferenças. MOSFETs são mais comumente usados ​​hoje do que JFETS. A maneira como um MOSFET funciona foi explicada neste artigo, então aqui, vamos nos concentrar na operação de um JFET.

Assim como os BJTs vêm nos tipos npn e pnp, os JFETS também vêm nos tipos de canal n e canal p. Para explicar como funciona um JFET, examinaremos um JFET de canal p:

Um esquema de um JFET de canal p

Neste caso, "orifícios" fluem do terminal (rotulado com um S) para o ralo terminal (identificado com um D). A porta é conectada a uma fonte de tensão em polarização reversa, de modo que uma camada de depleção se forma através da porta e da região do canal onde as cargas fluem. Quando a tensão reversa na porta aumenta, a camada de depleção aumenta. Se a tensão reversa se tornar grande o suficiente, a camada de depleção pode crescer tanto que pode “beliscar” e interromper o fluxo de corrente da fonte para o dreno. Portanto, alterando a tensão na porta, a corrente da fonte para o dreno pode ser controlada.

Diferença entre BJT e FET

Bipolar vs Unipolar

BJTs estão dispositivos bipolares, em que há um fluxo de portadoras majoritárias e minoritárias.

FETs estão dispositivos unipolares, onde apenas a maioria dos portadores fluem.

Ao controle

BJTs estão dispositivos controlados por corrente.

FETs são dispositivos controlados por tensão.

Usar

FETs são usados ​​com mais frequência do que BJTs em eletrônica moderna.

Terminais de transistores

Terminais de um BJT são chamados de emissor, base e coletor

Os terminais de um FET são chamados fonte, grão e portão.

Impedância

FETs têm uma impedância de entrada maior em comparação com BJTs. Portanto, os FETs produzem ganhos maiores.

Cortesia de imagem:

“A operação básica de um NPN BJT em modo Ativo” por Inductiveload (Desenho próprio, feito em Inkscape) [Domínio Público], via Wikimedia Commons

“Este diagrama de um transistor de efeito de campo de porta de junção (JFET)…” por Rparle em en.wikipedia (Transferido de en.wikipedia para Commons pelo Usuário: Wdwd usando CommonsHelper) [CC BY-SA 3.0], via Wikimedia Commons